ZXM62P03E6TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXM62P03E6TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
Datenblätte:	ZXM62P03E6TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	255800 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 255800 pcs

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Spezifikationen von ZXM62P03E6TA

Artikelnummer	ZXM62P03E6TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	255800 pcs	Datenblatt	ZXM62P03E6TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-26
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1.6A, 10V
Verlustleistung (max)	625mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6	Andere Namen	ZXM62P03E6TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.2nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 1.5A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-26	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.5A (Ta)

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