ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMHC10A07N8TC
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Datenblätte:	ZXMHC10A07N8TC.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	72968 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72968 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.509

10 pcs: $0.451

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500 pcs: $0.277

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Spezifikationen von ZXMHC10A07N8TC

Artikelnummer	ZXMHC10A07N8TC	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	72968 pcs	Datenblatt	ZXMHC10A07N8TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 1.5A, 10V
Leistung - max	870mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	ZXMHC10A07N8DICT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 60V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Typ FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	800mA, 680mA	Basisteilenummer	ZXMHC10A07

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