ZXMN10B08E6TC

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN10B08E6TC
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Datenblätte:	ZXMN10B08E6TC.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	7076 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7076 pcs

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Spezifikationen von ZXMN10B08E6TC

Artikelnummer	ZXMN10B08E6TC	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	7076 pcs	Datenblatt	ZXMN10B08E6TC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-26
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.6A, 10V
Verlustleistung (max)	1.1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	497pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.3V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.6A (Ta)

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