ZXMN2F30FHQTA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN2F30FHQTA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Datenblätte:	ZXMN2F30FHQTA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	634247 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Artikelnummer	ZXMN2F30FHQTA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	634247 pcs	Datenblatt	ZXMN2F30FHQTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.4W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	452pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 4.9A (Ta) 1.4W Surface Mount SOT-23-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.9A (Ta)

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