ZXMN3B01FTA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMN3B01FTA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Datenblätte:	ZXMN3B01FTA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	416225 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 416225 pcs

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Spezifikationen von ZXMN3B01FTA

Artikelnummer	ZXMN3B01FTA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	416225 pcs	Datenblatt	ZXMN3B01FTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Verlustleistung (max)	625mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	ZXMN3B01FTA-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	258pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.93nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 1.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.7A (Ta)

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