ZXMP10A18K

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXMP10A18K
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
Datenblätte:	ZXMP10A18K.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3629 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3629 pcs

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Spezifikationen von ZXMP10A18K

Artikelnummer	ZXMP10A18K	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3629 pcs	Datenblatt	ZXMP10A18K.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 2.8A, 10V
Verlustleistung (max)	2.17W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	ZXMP10A18KCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1055pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26.9nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 100V 3.8A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.8A (Ta)

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