ZXTDE4M832TA

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ZXTDE4M832TA
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
Datenblätte:	ZXTDE4M832TA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5834 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5834 pcs

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Spezifikationen von ZXTDE4M832TA

Artikelnummer	ZXTDE4M832TA	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5834 pcs	Datenblatt	ZXTDE4M832TA.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	80V, 70V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
Transistor-Typ	NPN, PNP	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP (3x2)
Serie	-	Leistung - max	1W
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen	ZXTDE4M832TACT	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	160MHz, 180MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	25nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	3.5A, 2.5A
Basisteilenummer	ZXTDE4M832

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