EPC2019

EPC

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EPC2019
Hersteller / Marke:	EPC
Produktbeschreibung	TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Datenblätte:	EPC2019.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	53259 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53259 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von EPC2019

Artikelnummer	EPC2019	Hersteller	EPC
Beschreibung	TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	53259 pcs	Datenblatt	EPC2019.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1.5mA	Vgs (Max)	+6V, -4V
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)	Supplier Device-Gehäuse	Die
Serie	eGaN®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 7A, 5V
Verlustleistung (max)	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	Die	Andere Namen	917-1087-2
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.5A (Ta)

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