EPC2101ENG

EPC

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EPC2101ENG
Hersteller / Marke:	EPC
Produktbeschreibung	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Datenblätte:	EPC2101ENG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	7699 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7699 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

10 pcs: $3.835

30 pcs: $3.548

100 pcs: $3.26

250 pcs: $2.972

500 pcs: $2.781

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Spezifikationen von EPC2101ENG

Artikelnummer	EPC2101ENG	Hersteller	EPC
Beschreibung	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	7699 pcs	Datenblatt	EPC2101ENG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 2mA	Supplier Device-Gehäuse	Die
Serie	eGaN®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	Die	Andere Namen	917-EPC2101ENG EPC2101ENGR_H5 EPC2101ENGRH5
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 5V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)	FET-Merkmal	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.5A, 38A

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