EPC2107

EPC

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EPC2107
Hersteller / Marke:	EPC
Produktbeschreibung	MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
Datenblätte:	EPC2107.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	106567 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 106567 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.338

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Spezifikationen von EPC2107

Artikelnummer	EPC2107	Hersteller	EPC
Beschreibung	MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	106567 pcs	Datenblatt	EPC2107.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA	Supplier Device-Gehäuse	9-BGA (1.35x1.35)
Serie	eGaN®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Leistung - max	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	9-VFBGA	Andere Namen	917-1168-2
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Typ FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)	FET-Merkmal	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.7A, 500mA

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