IRF640LPBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF640LPBF
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Datenblätte:	IRF640LPBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5038 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5038 pcs

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Spezifikationen von IRF640LPBF

Artikelnummer	IRF640LPBF	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 18A TO-262	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5038 pcs	Datenblatt	IRF640LPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-262-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 130W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	*IRF640LPBF
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)

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