IRFBE30LPBF

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRFBE30LPBF
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Datenblätte:	IRFBE30LPBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	25871 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25871 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.152

10 pcs: $1.04

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500 pcs: $0.65

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Spezifikationen von IRFBE30LPBF

Artikelnummer	IRFBE30LPBF	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	25871 pcs	Datenblatt	IRFBE30LPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	*IRFBE30LPBF
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.1A (Tc)

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