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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Artikelnummer | IRFD110 | Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 2771 pcs | Datenblatt | IRFD110.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Andere Namen | *IRFD110 IRFD111 IRFD112 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
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| DHL | www.DHL.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
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