SI4668DY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SI4668DY-T1-E3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Datenblätte:	SI4668DY-T1-E3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	176661 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 176661 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von SI4668DY-T1-E3

Artikelnummer	SI4668DY-T1-E3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	176661 pcs	Datenblatt	SI4668DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1654pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 16.2A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16.2A (Tc)

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