SI8233BD-D-IS3

Energy Micro (Silicon Labs)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SI8233BD-D-IS3
Hersteller / Marke:	Energy Micro (Silicon Labs)
Produktbeschreibung	ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
Datenblätte:	SI8233BD-D-IS3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	29701 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von SI8233BD-D-IS3

Artikelnummer	SI8233BD-D-IS3	Hersteller	Energy Micro (Silicon Labs)
Beschreibung	ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	29701 pcs	Datenblatt	SI8233BD-D-IS3.pdf
Spannungsversorgung	6.5 V ~ 24 V	Spannung - Isolation	5000Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)	-	Technologie	Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse	14-SOIC	Serie	Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ)	12ns, 12ns	Pulsbreite Verzerrung (Max)	5.6ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)	60ns, 60ns	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	Andere Namen	336-4259
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C	Anzahl der Kanäle	2
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	2A (4 Weeks)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	detaillierte Beschreibung	4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 14-SOIC
Strom - Spitzenausgang	4A	Strom - hoch, niedrig	2A, 4A
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)	45kV/µs	Zulassungen	CQC, CSA, UR, VDE

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