SI8261BAD-C-ISR

Energy Micro (Silicon Labs)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SI8261BAD-C-ISR
Hersteller / Marke:	Energy Micro (Silicon Labs)
Produktbeschreibung	DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
Datenblätte:	SI8261BAD-C-ISR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	62128 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 62128 pcs

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Spezifikationen von SI8261BAD-C-ISR

Artikelnummer	SI8261BAD-C-ISR	Hersteller	Energy Micro (Silicon Labs)
Beschreibung	DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	62128 pcs	Datenblatt	SI8261BAD-C-ISR.pdf
Spannungsversorgung	6.5 V ~ 30 V	Spannung - Isolation	5000Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)	2.8V (Max)	Technologie	Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse	6-SDIP	Serie	Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ)	5.5ns, 8.5ns	Pulsbreite Verzerrung (Max)	28ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)	60ns, 50ns	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	Andere Namen	336-5207-2 SI8261BAD-C-ISR-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C	Anzahl der Kanäle	1
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	detaillierte Beschreibung	4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
Strom - Spitzenausgang	4A	Strom - hoch, niedrig	500mA, 1.2A
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)	30mA	Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)	35kV/µs
Zulassungen	CQC, CSA, UR, VDE

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