FDMS86350ET80

Fairchild/ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS86350ET80
Hersteller / Marke:	Fairchild/ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Datenblätte:	FDMS86350ET80.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	26493 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26493 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.373

10 pcs: $1.232

100 pcs: $1.01

500 pcs: $0.859

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Spezifikationen von FDMS86350ET80

Artikelnummer	FDMS86350ET80	Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	26493 pcs	Datenblatt	FDMS86350ET80.pdf
Spannung - Prüfung	8030pF @ 40V	Spannung - Durchschlag	Power56
VGS (th) (Max) @ Id	2.4 mOhm @ 25A, 10V	Vgs (Max)	8V, 10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
RoHS Status	Digi-Reel®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25A (Ta), 198A (Tc)
Polarisation	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS86350ET80DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	FDMS86350ET80
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	155nC @ 10V	IGBT-Typ	±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5V @ 250µA	FET-Merkmal	N-Channel
Expanded Beschreibung	N-Channel 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56	Drain-Source-Spannung (Vdss)	-
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80V
Kapazitätsverhältnis	3.3W (Ta), 187W (Tc)

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