1N5830R

GeneSiC Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N5830R
Hersteller / Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4
Datenblätte:	1.1N5830R.pdf 2.1N5830R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6514 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6514 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $4.668

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Spezifikationen von 1N5830R

Artikelnummer	1N5830R	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6514 pcs	Datenblatt	1.1N5830R.pdf 2.1N5830R.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	580mV @ 25A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	25V
Supplier Device-Gehäuse	DO-4	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	DO-203AA, DO-4, Stud	Andere Namen	1N5830RGN
Betriebstemperatur - Anschluss	-55°C ~ 150°C	Befestigungsart	Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Schottky, Reverse Polarity	detaillierte Beschreibung	Diode Schottky, Reverse Polarity 25V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	2mA @ 20V	Strom - Richt (Io)	25A
Kapazität @ Vr, F	-	Basisteilenummer	1N5830R

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