2N7635-GA

GeneSiC Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7635-GA
Hersteller / Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS SJT 650V 4A TO-257
Datenblätte:	2N7635-GA.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4401 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4401 pcs

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Spezifikationen von 2N7635-GA

Artikelnummer	2N7635-GA	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	TRANS SJT 650V 4A TO-257	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4401 pcs	Datenblatt	2N7635-GA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	Supplier Device-Gehäuse	TO-257
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
Verlustleistung (max)	47W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-257-3	Andere Namen	1242-1146
Betriebstemperatur	-55°C ~ 225°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 35V	Typ FET	-
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc) (165°C)

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