KBP210G

GeneSiC Semiconductor

Bild kann Darstellung sein. Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Produktübersicht

Artikelnummer:	KBP210G
Hersteller / Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP
Datenblätte:	KBP210G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	244227 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 244227 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $0.134

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Spezifikationen von KBP210G

Artikelnummer	KBP210G	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	244227 pcs	Datenblatt	KBP210G.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	1kV	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 2A
Technologie	Standard	Supplier Device-Gehäuse	KBP
Serie	-	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	4-SIP, KBP	Andere Namen	KBP2010GN KBP2010GN-ND KBP210GGS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Single Phase	detaillierte Beschreibung	Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	10µA @ 1000V	Strom - Richt (Io)	2A

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Nach dem Verkauf
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