MBRT600200R

GeneSiC Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MBRT600200R
Hersteller / Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Datenblätte:	MBRT600200R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1013 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1013 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $32.741

10 pcs: $30.695

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Spezifikationen von MBRT600200R

Artikelnummer	MBRT600200R	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1013 pcs	Datenblatt	MBRT600200R.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	920mV @ 300A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	200V
Supplier Device-Gehäuse	Three Tower	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	Three Tower	Betriebstemperatur - Anschluss	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Diodentyp	Schottky
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Anode	detaillierte Beschreibung	Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 300A Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1mA @ 200V	Strom - Richt (Io) (pro Diode)	300A

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