S12J

GeneSiC Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	S12J
Hersteller / Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Datenblätte:	1.S12J.pdf 2.S12J.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	18562 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18562 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $1.643

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Spezifikationen von S12J

Artikelnummer	S12J	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	18562 pcs	Datenblatt	1.S12J.pdf 2.S12J.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	12A
Spannung - Durchschlag	DO-4	Serie	-
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	DO-203AA, DO-4, Stud
Andere Namen	S12JGN	Befestigungsart	Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	S12J
Expanded Beschreibung	Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4	Diodenkonfiguration	10µA @ 50V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.1V @ 12A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	600V	Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 175°C

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