GP1M003A050CG

Global Power Technologies Group

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Produktübersicht

Artikelnummer:	GP1M003A050CG
Hersteller / Marke:	Global Power Technologies Group
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Datenblätte:	GP1M003A050CG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5662 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5662 pcs

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Spezifikationen von GP1M003A050CG

Artikelnummer	GP1M003A050CG	Hersteller	Global Power Technologies Group
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5662 pcs	Datenblatt	GP1M003A050CG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
Verlustleistung (max)	52W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	395pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A (Tc)

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