GP1M008A050CG

Global Power Technologies Group

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Produktübersicht

Artikelnummer:	GP1M008A050CG
Hersteller / Marke:	Global Power Technologies Group
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Datenblätte:	GP1M008A050CG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4368 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4368 pcs

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Spezifikationen von GP1M008A050CG

Artikelnummer	GP1M008A050CG	Hersteller	Global Power Technologies Group
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 8A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4368 pcs	Datenblatt	GP1M008A050CG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	120W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	1560-1167-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	937pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 8A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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