GP1M009A050FSH

Global Power Technologies Group

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Produktübersicht

Artikelnummer:	GP1M009A050FSH
Hersteller / Marke:	Global Power Technologies Group
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
Datenblätte:	GP1M009A050FSH.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6148 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6148 pcs

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Spezifikationen von GP1M009A050FSH

Artikelnummer	GP1M009A050FSH	Hersteller	Global Power Technologies Group
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6148 pcs	Datenblatt	GP1M009A050FSH.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 4.25A, 10V
Verlustleistung (max)	39W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1195pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 8.5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.5A (Tc)

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