GP1M020A060M

Global Power Technologies Group

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Produktübersicht

Artikelnummer:	GP1M020A060M
Hersteller / Marke:	Global Power Technologies Group
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Datenblätte:	GP1M020A060M.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3918 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3918 pcs

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Spezifikationen von GP1M020A060M

Artikelnummer	GP1M020A060M	Hersteller	Global Power Technologies Group
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 20A TO3P	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3918 pcs	Datenblatt	GP1M020A060M.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-3P
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	347W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2097pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	76nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)

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