GP2M005A050CG

Global Power Technologies Group

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Produktübersicht

Artikelnummer:	GP2M005A050CG
Hersteller / Marke:	Global Power Technologies Group
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Datenblätte:	GP2M005A050CG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4847 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4847 pcs

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Spezifikationen von GP2M005A050CG

Artikelnummer	GP2M005A050CG	Hersteller	Global Power Technologies Group
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4847 pcs	Datenblatt	GP2M005A050CG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Verlustleistung (max)	98.4W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	1560-1197-1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 4.5A (Tc) 98.4W (Tc) Surface Mount D-Pak	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.5A (Tc)

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