MG12150D-BA1MM

Hamlin / Littelfuse

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MG12150D-BA1MM
Hersteller / Marke:	Hamlin / Littelfuse
Produktbeschreibung	IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
Datenblätte:	MG12150D-BA1MM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	803 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 803 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

60 pcs: $39.021

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Spezifikationen von MG12150D-BA1MM

Artikelnummer	MG12150D-BA1MM	Hersteller	Hamlin / Littelfuse
Beschreibung	IGBT 1200V 210A 1100W PKG D	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	803 pcs	Datenblatt	MG12150D-BA1MM.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 150A (Typ)
Supplier Device-Gehäuse	D3	Serie	-
Leistung - max	1100W	Verpackung / Gehäuse	Module
Andere Namen	F6480	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor	No	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	11nF @ 25V	Eingang	Standard
IGBT-Typ	-	detaillierte Beschreibung	IGBT Module Half Bridge 1200V 210A 1100W Chassis Mount D3
Strom - Collector Cutoff (Max)	1mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	210A
Konfiguration	Half Bridge

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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