HTNFET-DC

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HTNFET-DC
Hersteller / Marke:	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Datenblätte:	HTNFET-DC.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	213 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 213 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $158.13

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Spezifikationen von HTNFET-DC

Artikelnummer	HTNFET-DC	Hersteller	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 8-DIP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	213 pcs	Datenblatt	HTNFET-DC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA	Vgs (Max)	10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	-
Serie	HTMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Verlustleistung (max)	50W (Tj)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	8-CDIP Exposed Pad	Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-

Lieferung
Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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