70T3339S200BCG

IDT (Integrated Device Technology)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	70T3339S200BCG
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Produktbeschreibung	IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Datenblätte:	70T3339S200BCG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	661 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 661 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

12 pcs: $54.318

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Spezifikationen von 70T3339S200BCG

Artikelnummer	70T3339S200BCG	Hersteller	IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung	IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	661 pcs	Datenblatt	70T3339S200BCG.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous	Supplier Device-Gehäuse	256-CABGA (17x17)
Serie	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	256-LBGA	Andere Namen	IDT70T3339S200BCG IDT70T3339S200BCG-ND
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	4 (72 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	9Mb (512K x 18)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung	SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17)	Uhrfrequenz	200MHz
Basisteilenummer	IDT70T3339	Zugriffszeit	3.4ns

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