70T3589S133DRI8

IDT (Integrated Device Technology)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	70T3589S133DRI8
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Produktbeschreibung	IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	6203 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6203 pcs

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Spezifikationen von 70T3589S133DRI8

Artikelnummer	70T3589S133DRI8	Hersteller	IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung	IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	6203 pcs	Datenblatt
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous	Supplier Device-Gehäuse	208-PQFP (28x28)
Serie	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	208-BFQFP	Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Speichertyp	Volatile	Speichergröße	2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle	Parallel	Speicherformat	SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	detaillierte Beschreibung	SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28)
Uhrfrequenz	133MHz	Zugriffszeit	4.2ns

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