70T653MS12BCI

IDT (Integrated Device Technology)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	70T653MS12BCI
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Produktbeschreibung	IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA
Datenblätte:	1.70T653MS12BCI.pdf 2.70T653MS12BCI.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	395 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 395 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $79.07

12 pcs: $77.898

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Spezifikationen von 70T653MS12BCI

Artikelnummer	70T653MS12BCI	Hersteller	IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung	IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	395 pcs	Datenblatt	1.70T653MS12BCI.pdf 2.70T653MS12BCI.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	12ns	Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous	Supplier Device-Gehäuse	256-CABGA (17x17)
Serie	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	256-LBGA	Andere Namen	800-2604 IDT70T653MS12BCI IDT70T653MS12BCI-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	18Mb (512K x 36)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)	Basisteilenummer	IDT70T653M
Zugriffszeit	12ns

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