70T659S10BCI8

IDT (Integrated Device Technology)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	70T659S10BCI8
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Produktbeschreibung	IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
Datenblätte:	70T659S10BCI8.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	823 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 823 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $39.293

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Spezifikationen von 70T659S10BCI8

Artikelnummer	70T659S10BCI8	Hersteller	IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung	IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	823 pcs	Datenblatt	70T659S10BCI8.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	10ns	Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous	Supplier Device-Gehäuse	256-CABGA (17x17)
Serie	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	256-LBGA	Andere Namen	IDT70T659S10BCI8 IDT70T659S10BCI8-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	4 (72 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	4.5Mb (128K x 36)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)	Basisteilenummer	IDT70T659
Zugriffszeit	10ns

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