70V3579S6BC8

IDT (Integrated Device Technology)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	70V3579S6BC8
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Produktbeschreibung	IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Datenblätte:	1.70V3579S6BC8.pdf 2.70V3579S6BC8.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	1789 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1789 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von 70V3579S6BC8

Artikelnummer	70V3579S6BC8	Hersteller	IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung	IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	1789 pcs	Datenblatt	1.70V3579S6BC8.pdf 2.70V3579S6BC8.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	3.15 V ~ 3.45 V
Technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous	Supplier Device-Gehäuse	256-CABGA (17x17)
Serie	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	256-LBGA	Andere Namen	IDT70V3579S6BC8 IDT70V3579S6BC8-ND
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	4 (72 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	1.125Mb (32K x 36)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung	SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 6ns 256-CABGA (17x17)	Basisteilenummer	IDT70V3579
Zugriffszeit	6ns

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