IDT70P3337S233RMI

IDT (Integrated Device Technology)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IDT70P3337S233RMI
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Produktbeschreibung	IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
Datenblätte:	IDT70P3337S233RMI.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3259 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3259 pcs

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Spezifikationen von IDT70P3337S233RMI

Artikelnummer	IDT70P3337S233RMI	Hersteller	IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung	IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3259 pcs	Datenblatt	IDT70P3337S233RMI.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.9 V
Technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II	Supplier Device-Gehäuse	576-FCBGA (25x25)
Serie	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	576-BBGA, FCBGA	Andere Namen	70P3337S233RMI
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	4 (72 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	9Mb (512K x 18)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25)	Uhrfrequenz	233MHz
Basisteilenummer	IDT70P3337	Zugriffszeit	7.2ns

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