IS43DR86400E-3DBLI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IS43DR86400E-3DBLI
Hersteller / Marke:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Produktbeschreibung	IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Datenblätte:	IS43DR86400E-3DBLI.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	12496 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IS43DR86400E-3DBLI

Artikelnummer	IS43DR86400E-3DBLI	Hersteller	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Beschreibung	IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	12496 pcs	Datenblatt	IS43DR86400E-3DBLI.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	15ns	Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.9 V
Technologie	SDRAM - DDR2	Supplier Device-Gehäuse	60-TWBGA (8x10.5)
Serie	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	60-TFBGA	Andere Namen	706-1561
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	512Mb (64M x 8)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	DRAM	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung	SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5)	Uhrfrequenz	333MHz
Zugriffszeit	450ns

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