IXFA12N65X2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFA12N65X2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH
Datenblätte:	IXFA12N65X2.pdf
Zustand des Lagers	33524 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IXFA12N65X2

Artikelnummer	IXFA12N65X2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	33524 pcs	Datenblatt	IXFA12N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263AA
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	180W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1134pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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