IXFA4N85X

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFA4N85X
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
Datenblätte:	IXFA4N85X.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	29966 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29966 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.222

50 pcs: $0.982

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Spezifikationen von IXFA4N85X

Artikelnummer	IXFA4N85X	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	29966 pcs	Datenblatt	IXFA4N85X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263 (IXFA)
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	247pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	850V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 850V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.5A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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