IXFH24N90P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFH24N90P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH TO-247
Datenblätte:	IXFH24N90P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	9395 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9395 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von IXFH24N90P

Artikelnummer	IXFH24N90P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	9395 pcs	Datenblatt	IXFH24N90P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247AD (IXFH)
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	660W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 900V 24A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	24A (Tc)

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