IXFH76N15T2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFH76N15T2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH
Datenblätte:	IXFH76N15T2.pdf
Zustand des Lagers	16669 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16669 pcs

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Spezifikationen von IXFH76N15T2

Artikelnummer	IXFH76N15T2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	16669 pcs	Datenblatt	IXFH76N15T2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	HiPerFET™, TrenchT2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (max)	350W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5800pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	97nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 150V 76A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	76A (Tc)

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