IXFH80N20Q

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFH80N20Q
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
Datenblätte:	IXFH80N20Q.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5720 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5720 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $5.216

10 pcs: $4.742

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Spezifikationen von IXFH80N20Q

Artikelnummer	IXFH80N20Q	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5720 pcs	Datenblatt	IXFH80N20Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247AD (IXFH)
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	360W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)

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