IXFK32N80P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFK32N80P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
Datenblätte:	IXFK32N80P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	8997 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8997 pcs

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Spezifikationen von IXFK32N80P

Artikelnummer	IXFK32N80P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 32A TO-264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	8997 pcs	Datenblatt	IXFK32N80P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264AA (IXFK)
Serie	HiPerFET™, PolarHT™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	830W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 32A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	32A (Tc)

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