IXFN100N10S2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFN100N10S2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Datenblätte:	IXFN100N10S2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6622 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6622 pcs

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Spezifikationen von IXFN100N10S2

Artikelnummer	IXFN100N10S2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6622 pcs	Datenblatt	IXFN100N10S2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	360W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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