IXFN110N60P3

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFN110N60P3
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Datenblätte:	IXFN110N60P3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3079 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3079 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $10.47

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Spezifikationen von IXFN110N60P3

Artikelnummer	IXFN110N60P3	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 90A SOT227	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3079 pcs	Datenblatt	IXFN110N60P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B
Serie	HiPerFET™, Polar3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)	1500W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Andere Namen	625715
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	18000pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	245nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 90A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	90A (Tc)

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