IXFN20N120

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFN20N120
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Datenblätte:	IXFN20N120.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4044 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4044 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von IXFN20N120

Artikelnummer	IXFN20N120	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4044 pcs	Datenblatt	IXFN20N120.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	780W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 20A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)

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