IXFN60N60

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFN60N60
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Datenblätte:	IXFN60N60.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2095 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2095 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $16.613

10 pcs: $15.537

30 pcs: $14.369

100 pcs: $13.471

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Spezifikationen von IXFN60N60

Artikelnummer	IXFN60N60	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2095 pcs	Datenblatt	IXFN60N60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	700W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	380nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 60A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)

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