IXFN80N60P3

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFN80N60P3
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Datenblätte:	IXFN80N60P3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4348 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4348 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $8.563

10 pcs: $7.921

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Spezifikationen von IXFN80N60P3

Artikelnummer	IXFN80N60P3	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4348 pcs	Datenblatt	IXFN80N60P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B
Serie	HiPerFET™, Polar3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	960W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	Not Applicable
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	66A (Tc)

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