IXFP130N10T2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFP130N10T2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
Datenblätte:	IXFP130N10T2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	31667 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31667 pcs

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Spezifikationen von IXFP130N10T2

Artikelnummer	IXFP130N10T2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	31667 pcs	Datenblatt	IXFP130N10T2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 65A, 10V
Verlustleistung (max)	360W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	130A (Tc)

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