IXFP22N65X2M

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFP22N65X2M
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH
Datenblätte:	IXFP22N65X2M.pdf
Zustand des Lagers	28232 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28232 pcs

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Spezifikationen von IXFP22N65X2M

Artikelnummer	IXFP22N65X2M	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	28232 pcs	Datenblatt	IXFP22N65X2M.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Isolated Tab
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)	37W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22A (Tc)

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