IXFP56N30X3M

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFP56N30X3M
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	FET N-CHANNEL
Datenblätte:	IXFP56N30X3M.pdf
Zustand des Lagers	10870 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10870 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.659

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Spezifikationen von IXFP56N30X3M

Artikelnummer	IXFP56N30X3M	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	FET N-CHANNEL	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	10870 pcs	Datenblatt	IXFP56N30X3M.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.5mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Isolated Tab
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max)	36W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	300V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 300V 56A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	56A (Tc)

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